Tranzistor M50D060S Mosfet IGBT Putere CH N 600V 50A

				
Tranzistorul cu efect de câmp cu semiconductor cu oxid de metal M50D060S sau MOSFET (tranzistor cu efect de câmp cu semiconductor metalic) este un tranzistor utilizat pentru amplificarea sau comutarea semnalelor electronice. Este cel mai folosit tranzistor în industria microelectronică, fie că este în circuite analogice sau digitale. tranzistor de putere M50D060S. tranzistor Tranzistorul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) M50D060S este o componentă din ce în ce mai utilizată în aplicațiile auto în care comutarea curenților mari este o cerință importantă.Acest tip de tranzistor profită de un tranzistor MOSFET și de un tranzistor BJT ( Bipolar).
				

						
Informatii de baza
						
Polaritatea tranzistorului: canal N
Tensiune de la colector la emițător VCES: 600 V
Tensiune de la poartă la emițător VGE: ±20 V
curent continuu colector IC: 75 A
Curentul colector pulsat ICM: 150 A
Puterea maximă de disipare PD (Tc=25°C): 150 W
Temperatura minima de functionare: -40°C
Temperatura maxima de functionare: 150°C
Încapsulare: TO-3PF
Număr de pini: 3